NTMFS4C59NT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流处理能力和低导通电阻特性，适用于多种功率管理与电源转换应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为4.3mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合用于同步整流、电源分配、电池管理系统及高效能DC-DC转换器等场景，满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。
