NTH4LN067N65S3H-HXY_TO-247H-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统能效。器件采用成熟半导体工艺制造，具备较高的耐用性和稳定性，适用于多种高性能电源转换场景，如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。
