SIHG44N65EF-GE3-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热稳定性，适用于电源适配器、储能系统、智能家电以及电机驱动等各类高性能电子设备中的功率控制应用，可满足高频、高压工作环境的技术需求。
