NVH082N65S3F-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备29A的额定漏极电流（ID），满足较高电流场景下的开关与导通需求。其漏源击穿电压（VDSS）为650V，可在中高功率应用中稳定工作。导通电阻（RDON）低至60mΩ，有助于减少导通损耗并提升整体效率。该器件适用于各类电源管理系统、高频开关电路以及直流变换装置，具备良好的热稳定性与动态响应特性，适合多种高效能电子系统的设计与集成。
