NTHL067N65S3H-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有29A的最大漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为60mΩ，可在高电压与大电流环境下稳定工作。器件采用先进工艺制造，具备优良的导电性能与较低的能量损耗，适用于各类高效能开关电源、DC-AC逆变器、电池管理系统及智能家电中的功率控制电路，满足多种高频、高压应用场景的技术需求。
