IPW60R070CFD7XKSA1-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源耐压（VDSS），支持中高电压应用场景。导通电阻（RDON）为60mΩ，有效降低功率损耗，提升系统效率。器件可承载29A的连续漏极电流（ID），具备较强的电流处理能力。良好的开关特性和热稳定性使其适用于电源转换、高频开关电路及各类电子负载管理场合，为高效能电路设计提供可靠元件支持。
