SC060N065T8L-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性，典型导通电阻（RDON）为60mΩ，最大漏极电流（ID）可达29A。采用碳化硅材料，提升了器件的开关性能与热稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。可广泛用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制电路中，满足对效率与功率密度有较高要求的应用需求。
