E3M0060065D-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有29A的最大漏极电流能力，导通状态下典型电阻值为60mΩ。碳化硅材料的使用显著提升了器件在高压与高频条件下的工作效率和热稳定性。该器件适用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、储能系统的功率调节模块以及精密电机驱动电路，能够满足对能效表现和运行可靠性有较高要求的多样化应用场景。
