SCT2080KEGC11-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至80mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中，满足对性能与安全性要求较高的应用场景。
