SCT2080KEHRC11-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源电压（VDSS）与36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为80mΩ，适用于高耐压与大电流工作条件。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性与开关性能，可用于电源变换器、逆变电路、电机控制模块及高效能电子负载设备中。其电气特性支持高频运作与低损耗设计，适合对系统效率和可靠性有一定要求的多种电子应用领域。
