UJ3C120080K3S-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，连续漏极电流可达36A，导通电阻低至80mΩ，适用于高效率、高频率的功率变换场景。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗，提升了器件在高压和高温环境下的稳定性与可靠性。该器件广泛应用于能源、通信及智能设备中的电源转换模块，支持高效能与紧凑型设计需求。
