BSH205G2215-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:120mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS），可支持最大连续漏极电流（ID）达2.3A，导通状态下的漏源电阻（RDON）典型值为120mΩ，有助于降低导通损耗。器件适用于各类中低功率开关电路，如电源开关、电池管理、DC-DC转换及负载驱动等场景，满足高效能与小型化电路设计需求，提供稳定可靠的开关性能。
