BSH205G2235-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:120mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）耐受能力，最大连续漏极电流（ID）为2.3A，导通电阻（RDON）典型值为120mΩ，可有效降低功率损耗。适用于各类中低功率电源开关、电池供电设备、DC-DC转换电路及负载控制应用，满足高效、小型化电路设计对稳定性和响应速度的要求。器件具备良好的热稳定性与可靠性，适合多种通用型功率控制场景。
