CSD17310Q5A-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高效能表现，适用于多种高要求电路设计。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5.7mΩ，确保在高电流工作条件下仍具备良好的稳定性和较低的功率损耗。该器件采用先进工艺制造，具备快速开关响应和耐高温特性，适合应用于电源管理、高频变换器及各类精密电子设备中，为电路提供可靠的支持与保障。
