FDA20N50F-HXY_TO-3P_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3P 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:28A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:150mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为28A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为150mΩ。该器件适用于需要高效开关性能的高功率场景，其低导通电阻有助于降低工作损耗，提高系统效率。凭借较高的电流和电压耐受能力，该MOSFET可广泛用于电源转换、电机控制及高频率电路设计等领域，为电路提供稳定可靠的导通与截止控制。
