FDA24N50F-HXY_TO-3P_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3P 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:28A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:150mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID）能力，适用于较高电压环境下的功率控制。导通时典型导通电阻（RDON）为150毫欧，能够在保证性能的同时有效控制功耗。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、开关电源、照明驱动以及各类中高压电子系统中的高频开关应用场合。
