STD80N10F7-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:8.2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为100V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至8.2mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。
