STD85N10F7AG-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:8.2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的持续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电子系统。导通电阻（RDON）低至8.2mΩ，可有效减少导通状态下的能量损耗，提升整体效率。器件结构优化，具备良好的开关特性和热稳定性，适合应用于电源转换、电机驱动、储能管理以及各类电子设备中的高频开关电路，为系统提供高效、可靠的功率控制方案。
