PMV28ENER-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和4A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于减少功率损耗并提升整体效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的温度特性和开关性能，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理及小型电子设备中的功率控制应用，满足高效能与低功耗的设计需求。
