IRF7389TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为NP沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与转换场景。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用复合沟道设计，在兼顾性能的同时提升了开关稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。
