PMV28ENEAR-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和4A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至29毫欧，可有效降低导通损耗并提升系统效率。采用先进的工艺技术，具备良好的热稳定性和高频响应特性，适用于各类电源管理、开关电路以及小型电子设备中的功率控制场景，能够满足高效、低功耗设计的需求。
