SH8MA3TB1-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为NP沟道场效应管（MOSFET），具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于中功率电源管理系统。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。该器件结合N沟道与P沟道结构，具备良好的开关特性和稳定性，适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。
