FDMS86103L-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与耐压能力，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效支持大电流工作并降低功率损耗。器件采用成熟稳定的制造工艺，具备良好的热管理特性与长期可靠性，可广泛应用于开关电源、同步整流电路、DC-DC转换及高密度电源模块等设计中，满足对效率与性能有较高要求的应用场景。
