DMT10H009SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力和优异的导通特性。其主要参数包括：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为100V，导通电阻RDON仅为6.4mΩ，可有效减少导通损耗并提升整体效率。该器件适用于各类高效电源系统，如开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及高密度电源模块等，能够满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计需求。
