BSC070N10LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场景。其最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，支持较高功率的开关与导通需求；导通状态下的电阻RDON仅为6.4mΩ，显著降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，适合应用于高密度电源转换系统及高效能电子设备中。
