SIR106ADP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流驱动能力和良好的导通特性，适用于多种高效率电路设计。其最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，支持在较高功率环境下稳定工作；导通电阻RDON仅为6.4mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件结构可靠、响应速度快，适合应用于电源转换、电机驱动、储能系统以及各类高密度电子设备中的开关与控制电路，满足对性能和稳定性有要求的电路设计方案需求。
