SIR882BDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与较高的电流承载能力，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，确保在较高功率条件下稳定运行；导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功耗并提升整体效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及高密度电力系统等对性能和可靠性有要求的应用领域。
