BUK7208-40B-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON为7.7mΩ。该器件适用于多种中低压功率控制场景，如电源转换模块、电机驱动电路、电池管理系统及开关电源等。其较低的导通电阻有助于降低能量损耗，提高系统效率。同时具备良好的热稳定性和快速响应能力，能够满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
