NTMFS6B05NT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为6.4mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电子设备，可广泛用于电源管理、开关电路及电机驱动等场景。其低导通电阻特性有助于降低功耗并提升系统效率，同时具备良好的热稳定性和响应速度，适合多种高要求的电路设计应用。
