NVMFS5C638NLWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高可靠性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、高频率开关电路以及需要紧凑设计与高效散热的应用环境。
