DMTH6004SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏源电压VDSS为60V，可持续通过125A的大电流ID，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效降低功率损耗。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类中高功率电子设备，在高频工作环境下仍能保持稳定性能，满足对功率密度与能效有较高要求的应用场景。
