DMTH6004LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和稳定的可靠性，适用于多种高效率功率应用场景。其关键参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效降低导通损耗并提升整体系统效率。该器件具备快速开关响应与良好的热稳定性，适合用于电源转换、电机控制、储能系统以及高性能电子设备中的功率管理模块。
