IRFH7085TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的持续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），支持高功率密度设计。导通电阻（RDON）低至2.4mΩ，可显著减少导通损耗，提高系统效率。器件适用于开关电源、电机控制、电池管理及同步整流等应用，在高频与高电流工作条件下表现出良好的稳定性和可靠性，满足多种高性能电子设备的设计需求。
