ISC0702NLSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高耐用性，适用于多种电子设备中的功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，能够有效减少导通损耗，提高系统整体效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具备良好的热管理特性和开关响应速度，适合应用于高效电源转换、电机驱动、电池管理系统及高密度功率模块等场合。
