DMTH6004LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备优异的导通和开关性能。其漏极电流ID可达125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。该器件适用于高密度电源转换系统，如高效同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用场景，提供稳定可靠的功率控制能力。小型化封装设计有利于节省布局空间，同时满足高电流需求，是高性能电源管理方案的理想选择。
