NVMFS5C628NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的额定漏极电流ID和60V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON低至2.4mΩ，表现出优异的导通特性和开关响应。器件采用高密度封装，支持大电流工作条件，适用于各类高效电源系统、同步整流电路、储能变换装置及智能负载管理模块，在高频开关和低损耗设计中展现出良好的稳定性和可靠性。
