NTMFS5C628NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有125A连续漏极电流能力和60V漏源耐压，导通电阻低至2.4mΩ，可有效减少导通损耗并提升系统效率。器件基于优化的晶圆工艺设计，具备良好的热稳定性和高频开关特性，适用于高功率密度电源转换、同步整流、电池管理系统及高效能负载控制等应用，在严苛工作环境下仍能保持可靠运行。
