NVMFS5C638NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:125A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高要求的电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为125A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，能够实现高效、稳定的电流传输。器件采用先进工艺制造，具备快速开关特性和低损耗优势，适合用于电源管理、变换器、负载开关以及高性能计算设备中的功率控制部分。同时，其封装设计便于散热与集成，为复杂电路应用提供良好支持。
