SH8J65TB1-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P+P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为PP沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达11A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至14mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于需要高效能功率控制的各类场景，能够稳定运行在多种负载条件下。其P沟道结构设计使其在电路中常用于高边开关或同步整流应用，提供可靠的操作性能和良好的热稳定性，适合于电源管理、电池供电设备及小型电子装置中的功率切换与调节需求。
