SI4835DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为13毫欧，表现出优异的导通性能与较低的功率损耗。器件采用成熟工艺制造，确保稳定的开关特性和良好的热响应，适用于各类中低功率电源转换、负载开关及电池供电设备中的功率控制环节，为电路提供高效、可靠的解决方案。
