CWDM3011P-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和11A连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率开关应用。其导通电阻（RDON）低至13毫欧，有助于减少导通损耗，提高能效。器件具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于电源转换器、电池管理系统、消费类电子产品及各类通用负载控制电路中的功率开关元件。
