SI4413CDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大11A的连续漏极电流（ID），在导通状态下，其导通电阻（RDON）低至13毫欧，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件适用于需要高效能、小体积功率开关的场合，例如电源管理模块、电池供电设备以及各类通用电子控制系统中的电能转换和调节电路。
