DMPH6023SK3Q-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS）和30A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至29毫欧，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类中功率电源转换场合。其P沟道结构在同步整流、电源管理及负载开关等应用场景中表现出色，有助于简化驱动电路设计，广泛用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的直流电源控制与分配系统。
