IPD380P06NMATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
P沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源耐压（VDSS）与30A连续漏极电流（ID）能力，适用于多种中高功率电源管理应用。其导通电阻（RDON）低至29mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件采用P沟道结构，常用于直流电源转换、负载开关控制、电池管理系统及电机驱动电路。凭借良好的电气性能和稳定性，适用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的电源模块设计。
