SM409T9RL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
P沟道场效应管（MOSFET），漏源电压（VDSS）为60V，持续漏极电流（ID）可达30A，适用于多种电源管理场景。导通电阻（RDON）仅为29mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件基于P沟道设计，常用于直流电机驱动、电池充放电控制及开关电源电路中。凭借其高可靠性与优异的热稳定性，可广泛适配于通信设备、智能家居装置以及便携式电子产品的电源系统。
