STD35P6LLF6-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
P沟道场效应管（MOSFET），具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率应用。导通电阻（RDON）低至29mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用P沟道结构，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及各类直流电机控制电路。凭借其优异的电气性能与稳定的工作表现，可广泛应用于通信设备、消费电子及智能家电等领域的电源转换模块。
