DMPH6023SK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至29毫欧，可显著降低功率损耗并提升系统效率。器件结构优化，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于多种电源管理与转换场景。主要应用包括同步整流、直流电源开关控制、电池管理系统及高效能负载开关电路。其P沟道设计简化了驱动电路，广泛用于通信设备、智能家电、便携式电子产品等对效率与空间有要求的应用场合。
