NP36P06SLG-E1-AY-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率应用需求。其导通电阻（RDON）仅为29毫欧，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。器件适用于各类电源管理系统，如直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路及同步整流电路。得益于P沟道设计，该MOSFET在上桥臂开关应用中驱动简单、响应迅速，广泛用于通信设备、智能家居控制模块及高性能消费类电子产品中。
