2SK4178-ZK-E1-AY-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的最大漏极电流（ID），适用于中高电流应用场景。其导通电阻（RDON）仅为7毫欧，有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用优化的沟槽结构设计，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池保护及各类高性能电子设备中。优异的电气特性和可靠性可满足广泛通用型电路设计的需求。
