DMP2070UQ-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的电性能与稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其主要参数为：漏极电流ID为5A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为35mΩ，能够在较宽的工作范围内保持稳定表现。该器件结构紧凑，具备快速开关响应能力和较高的热稳定性，适合用于直流电源管理、便携式电子设备、负载切换控制及各类高效能转换电路中的应用需求。
